与微显示有关，这两项Micro LED技术再突破

赫六寒拔凌

行家说快讯：
2023年刚开局，Micro LED技术迎新突破的消息就不断传来。


近日，堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode，半导体元件研发生产商芯元基皆实现了Micro LED新工艺，且都可应用于微显示领域。
Sundiode与Soft-Epi开发全InGaN堆叠式RGB Micro LED
据国外网站Micro LED-info消息，堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode近日宣布，与GaN技术开发商Soft-Epi共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。



资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。
2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的专有技术，只需将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。
值得注意的是，Sundiode的外延技术使得开发多结（Multiple junctions）堆叠式RGB LED芯片成为了可能，芯片能够独立地发出RGB光色。采用这种芯片结构，制造商更易于生产出超高密度微型显示器。
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Sundiode表示，由于在晶圆上测试采用了快速检查方法，单片RGB LED结构可作为级联多结LED（Cascade multi-junction LED）工作，检测所发出的光线则证实级联LED的正常运作。
本次研发的合作方Soft-Epi来自韩国，作为一家GaN技术开发商，已在2021年成功开发基于GaN的红、蓝、绿光LED。而在去年，Soft-Epi开发出号称韩国首款的红色GaN外延片，目前该产品已量产出货。
芯元基成功实现0.39英寸单色Micro-LED微显示屏视频显示
近日，芯元基在Micro LED微显示屏方面又取得了新的突破，其成功攻克了像素pitch 7.5μm芯片阵列键合工艺，实现了0.39英寸单色Micro LED微显示屏视频显示。

据悉，本次制作出的显示模组，芯片尺寸是：像素pitch为 7.5μm、分辨率为1024*768、显示面积为0.39inch，CMOS驱动芯片由北京数字光芯集成电路设计有限公司提供。模组光电参数、显示效果方面优越。


https://www.zhihu.com/video/1597308705015549953
Micro LED方面，芯元基近两年不断取得技术突破：
2022年年初，芯元基宣布全屏点亮了适合微显示的5μm Micro LED芯片阵列，同时成功研发出16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片。
2022年7月，芯元基宣布突破了像素pitch小于4μm的关键工艺，成功点亮了0.12 英寸、pitch 3.75μm的适合AR眼镜显示用的Micro LED芯片阵列，为提供高端AR微显示产品奠定了基础。
8月，芯元基再次传出在Micro LED微显示方面取得重大研发进展，成功点亮了InGaN基红光适合微显示的pitch 8微米Micro LED芯片阵列。

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剑虹

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